C原子在Si基底沉积

dimension 3

units    metal                       # Energy: eV Distance: Angstrom Mass: Kg Times: picosecond

atom_style  atomic                      # Classical particles

boundary        p p f                       # p = periodic, f= fixed

#定义Si的晶格常数

variable lat_a equal 5.43 # SiC:4.3210

#定义盒子长度

variable len_x equal 6*${lat_a}

variable len_y equal 6*${lat_a}

variable len_z equal 12*${lat_a}

variable len_z2 equal ${len_z}/2

#创建box 

region bbox block 0 ${len_x} 0 ${len_y} 0 ${len_z} units box

create_box 2 bbox

#创建底部Si模型

lattice diamond ${lat_a}

region lbox block  0 ${len_x} 0 ${len_y} 0 ${len_z2} units box  

create_atoms 1 region lbox 

#创建上部C原子生成区域

region sput block  2.0 23.0 2.0 23.0 54.3 60.0 units box

#原子分组：底部固定部分和上部原子部分

region bot block INF INF INF INF 0.0 2.72 units box 

group fbot region bot

group other subtract all fbot

#摩尔质量设置

mass 1 28.09

mass 2 12.01

#力场设置，tersoff力场，lammps有自带sic.tersoff文件，可替换本文件  

pair_style tersoff

pair_coeff * *  SiC_1989.tersoff Si C 

#近邻列表参数设置

neighbor 0.5 bin 

neigh_modify delay 1 check yes  

#轨迹文件输出设置

dump 1d all custom 1000 dump.sputter id type x y z  

#屏幕输出信息设置

reset_timestep 0 

thermo 5000 

thermo_style custom step pe ke etotal temp vol press 

#固定底部原子，防止在沉积过程中移动

fix s1 fbot setforce 0.0 0.0 0.0 

#能量最小化

min_style cg 

minimize 1e-8 1e-8 10000 10000                                

#温度初始化

velocity other create 298 39849 mom yes rot yes dist gaussian 

#nvt系综下进行弛豫  

fix 1 all nvt temp 298.00 298.0 10.0 

run 20000 

#沉积过程

#沉积原子类型为2，数量500个

fix 4 all deposit 500 2 500 95485 region sput near 1.2 vz -0.5 -1.5 target 12.0 12.0 28.0 units box 

#删除飞出box外的原子

thermo_modify lost ignore flush yes

run 100000