15.5创建和编辑2D图像

单击侧边栏的Slice...按钮，创建新图像，将打开名为Create New Slice的窗口（图15.2）。

可以使用以下三种方式创建切面或投影图：

1. (hkl) plane in the bounding box 边界框中的（hkl）平面

2. (hkl) plane defined by two vectors 由两个矢量定义的（hkl）平面

3. Project along [hkl] axis 沿[hkl]轴投影图15.3示意性地说明了在每个模式下如何创建2D图像。

图15.2：三种绘制2D图像的不同模式的对话框

图15.3：金红石型TiO2中（111）晶面的三种不同模式绘制的电子密度分布。（A）(hkl) plane in the bounding box模式，（B）(hkl) plane defined by two vectors模式，以及（C）Project along [hkl] axis模式。电子密度由X射线粉末衍射数据的MEM测定

15.5.1（hkl）平面在边界框中

在此模式下，会创建一个切割边界框的截面。边界框的大小由沿x、y和z轴的范围指定。截面的位置以到3D数据原点的距离给出，单位为其格面间距d或Å。

15.5.2（hkl）平面由两个向量定义

在此模式下，切片的大小由两个晶格矢量定义：[u1v1w1]和[u2v2w2]。h、 k和l：方程中的三个值表示晶格矢量，R=ha+kb+lc，其中a、b和c表示基本晶格矢量。

Distance from the center of procection与投影中心的距离：投影中心Center of projection位于穿过切片中心的投影矢量上（图15.4）。切片中心和投影中心Center of projection之间的距离是以其晶格平面间距d或Å为单位指定的。例如，当该值为0时，指定为投影中心Center of projection的（x，y，z）位置对应于切片的中心。

Vectors parallel to the (hkl) plane平行于（hkl）平面的向量：一对在（hkl）平面上的向量V1和V2，由晶格向量ua+vb+wc的表达式指定。两个晶格矢量应平行于（hkl）平面，但不应相互平行。

Center of projection投影中心：该点沿[hkl]方向的投影在切片中心与切片相交。

在该模式下，切片上的二维数据通过线性插值重新计算。当体数据中沿x、y和z方向的数据点数量分别为N[0]、N[1]和N[2]时，沿[u1v1w1]方向的数据点数Nx通过以下公式计算得出：

对[u2v2w2]方向上的数据点数量应用相同的过程。

15.5.3沿[hkl]轴的项目

此模式在用户指定的范围内绘制沿[hkl]方向加和的一系列（hkl）切片的累积数据。数据点数量的计算方法与(hkl) plane defined by two vectors模式相同。

在该模式的Slice Properties对话框中，必须输入四种数据：

Ø h、 k和l：方程中的三个值表示晶格矢量，R=ha+kb+lc，其中a、b和c表示基本晶格矢量。[hkl]方向用R定义。

Ø Range of projection投影范围：由距投影中心Center of projection的距离指定的一对值。它们的输入单位为晶格平面间距d或Å。

Ø Vectors parallel to the (hkl) plane平行于（hkl）平面的向量：一对在（hkl）平面上的向量V1和V2，由晶格向量ua+vb+wc的表达式指定。这两个晶格矢量应该与（hkl）平面平行，但不应相互平行。

Ø Center of projection投影中心：该点沿[hkl]方向的投影在切片中心与切片相交。

图15.4：投影中心与截面中心的关系示意图。